Processi chimici a umido
Che includono la deposizione elettrochimica o chimica per riduzione
La chimica a umido è ancora largamente utilizzata nella lavorazione di wafer e di substrati, in particolare in due aree chiave:-
- Rimozione di contaminanti organici, ossidanti o metallici e ionici nelle varie fasi del processo di produzione. I processi includono prodotti di pulizia a umido per rimozione RCA o SC1 e SC2.
- L’applicazione del rame nell’interconnessione o nell’imballaggio 3D richiede una deposizione chimica, elettrochimica o chimica per riduzione.
Oltre ad una elevata resistenza a prodotti chimici specifici, è indispensabile che i materiali di tenuta non contribuiscano alla contaminazione organica o da metalli traccia dei fluidi di pulizia o di rimozione.
La scelta appropriata di prodotti raccomandati PPE condurrà a:-
- Raccomandazioni con ottimizzazione dei costi in base all’applicazione
- Bassi tassi di erosione chimica
- Scarsa contaminazione da metalli traccia
- Ridotti tassi di rilascio di particelle, ove fondamentali
- Fori di spillo ridotti in applicazioni con materiali in elastomero a legame sottile
- Impatto ridotto al minimo sulla resa del dispositivo e sulla resa elettrica
- Strato di rivestimento in rame ridotto al minimo in ECD
- Costo dei materiali di consumo ridotto (CoC)
La tabella di seguito indica le tipologie dei materiali in elastomero compatibili e raccomandati da PPE. Le tipologie primarie sono studiate per l’applicazione in posizioni critiche in impianti e attrezzature. Per ulteriori indicazioni sulla scelta della tenuta appropriata trova il contatto di vendita a te più vicino.
| Processo/applicazioni | Gamma di temperature | Mezzi di lavorazione | Materiali primari | Materiali compatibili |
| Pulizia / Incisione | 25 - 150°C (77 - 302°F) | UPDI, Piranha, SC1, SC2, O3, HF (49%), H3PO4, HNO3 | G80A, G67P, G75M | G74P, G100XT |
| Fotolitografia Resistenza alla spogliatura | 25 - 125°C (77 - 257°F) | H2SO4 + ossidante, acidi organici, NMP, ammine | G80A, G67P, G75M | G74P, G100XT |
| Ramatura ECD | 25 - 100°C (77 - 212°F) | CuSO4 soluzione H2SO4, H2O2 | G80A, V75SC | Y75G |