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Processi al plasma

I processi al plasma sono tra i più aggressivi per le guarnizioni in elastomero, in particolare quelli in posizioni critiche esposte agli agenti chimici e in prossimità del wafer o del substrato. I processi al plasma più aggressivi per le guarnizioni includono i plasmi a base di radicali e i prodotti per la spogliatura (resist strip) a base di ossigeno, così come i detergenti NF3 per l’incisione e per camere che usano sorgenti di plasma remote (RPS).

Tutte le guarnizioni, in particolare quelle in posizioni critiche, si degraderanno nel tempo. Nessun materiale di tenuta di per sé è ottimizzato per tutti gli agenti chimici o è applicabile a ogni posizione di strumento e tipo di prodotto. La scelta appropriata di prodotti raccomandati PPE condurrà a:-

  • Raccomandazioni ottimizzate dal punto di vista dei costi in base all’applicazione
  • Ridotti tassi di erosione
  • Bassi livelli di metalli traccia, ove fondamentali
  • Ridotti tassi di rilascio di particelle, ove fondamentali
  • Impatto ridotto al minimo sulla resa del dispositivo e sulla resa elettrica
  • Costo dei materiali di consumo ridotto (CoC)

La tabella qui di seguito indica i tipi di materiali in elastomero compatibili e raccomandati. Le qualità principali sono studiate per posizioni critiche in impianti / strumenti.

Sono stati eseguiti molteplici test di resistenza al plasma su oltre 20 materiali in elastomero disponibili sul mercato, comprendendo quelli dei fornitori leader.  Scopri come si è comportato ogni materiale in termini di tasso di erosione in quattro chimiche base al plasma rispetto alle qualità PPE equivalenti.

Per ulteriori indicazioni sulla scelta della guarnizione appropriata trova il tuo referente di vendita più vicino.

Processo/applicazioniGamma
di temperature
Mezzi di lavorazioneMateriali
primari
Materiali
compatibili
Commenti
PECVD / HPDCVD

25 - 200°C
(77 - 392°F)
SiH4, N2, NH3, N2O, NO, organosilani/silossani, O2, CF4, C2F6, C3F8, SF6, SiF4G67G, G67PG65HP, G75H, G74P, G76W, K2CD, Y75G, V75SCLa raccomandazione esatta dipende principalmente dalla chimica di pulizia delle camere e dalle specifiche relative ai difetti e alla contaminazione da metalli traccia.
NF3, F2,G65HP con pulizia in remoto con elevato rischio di radicali, G67GK2CD, G75H, G76W
resistenza a incenerimento/spogliatura25 - 200°C
(77 - 392°F)
O2, CF4, SF6, CHF3, NH3, H2, H2O, NO, N2O, Gas di formaturaG67G, G65HP, Y75GG75H, G76W, K2CD, Y75NG65HP generalmente buono in molteplici ambienti chimici e particolarmente adatto a processi con elevato contenuto di radicali.
G76W, Y75G, Y75N, K13X sono opzioni meno costose.



Incisione dielettrica25 - 200°C
(77 - 392°F)
H2, O2, CO, CO2, NO, NO2, N2O, CS2, COS, CF4, CH4, CHF3, C2F4, C2F6, C3F8, C4F8, C4F6, C4F10, C5F8, C6F6, SF6G65HP, G67G, Y75GG67P, G74P, G75H, G76W, K2CD, Y75N
Incisione tramite conduttori
25 - 200°C
(77 - 392°F)

CF4, CHF3, C2F6, C3F8, SF6, HBr, BCl3, SiCl4, CCl4, Cl2, CCl2F2 G65HP, G67G, Y75GG67P, G74P, G75H, G76W, K2CD, K13X, Y75N
O2, CO, NO, N2O, NF3G65HP, G67GG76W, G75H, K2CD
Download dei documenti
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White paper Purezza o resistenza ai plasmi: puoi avere entrambe? Download File
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